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分立半导体
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IFN5912

  • InterFET
  • 新批次
  • JFET Dual N-Ch JFET -25V 50mA 500mW 4mW
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数量单价合计
1
¥179.9638
179.9638
10
¥153.0698
1530.698
100
¥142.154
14215.4
250
¥130.402
32600.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
InterFET
产品种类
JFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-78-8
晶体管极性
N-Channel
配置
Dual
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 25 V
Vgs=0时的漏-源电流
40 mA
Id-连续漏极电流
5 mA
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
系列
IFN591
封装
Bulk
类型
JFET
商标
InterFET
正向跨导 - 最小值
3000 uS
闸/源截止电压
- 5 V
工厂包装数量
1
零件号别名
2N5912
商品其它信息
优势价格，IFN5912的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBRH240100
GeneSiC Semiconductor
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100:¥12.5995
500:¥10.9836
参考库存:6374
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