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分立半导体
A2T21H141W24SR3参考图片

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A2T21H141W24SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H141W24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
1
¥466.577
466.577
5
¥456.1245
2280.6225
10
¥438.2931
4382.931
25
¥424.1568
10603.92
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
17.2 dB
输出功率
36 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935368003128
商品其它信息
优势价格，A2T21H141W24SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N6144
Semtech
分立半导体
稳压二极管 T MET BI 1500W 9.1V
250:¥100.0502
500:¥89.0553
1,000:¥85.8348
参考库存:54231
UH1PB-M3/84A
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 1A,100V,25NS,Planar FER RECT,SMD
1:¥4.1471
10:¥2.3843
100:¥1.3899
500:¥1.13
3,000:¥0.76049
6,000:查看
参考库存:54234
Q2008NH4TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 200V 8A 25-25-25mA
1:¥14.3736
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
参考库存:54237
T2480N26TOF VT
Infineon Technologies
分立半导体
SCR PCT 2600V 2490A
1:¥5,066.4454
5:¥4,761.0855
参考库存:54240
MMRF5017HS-1GHZ
NXP Semiconductors
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5017HS-1GHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:54243
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