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分立半导体
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A2T21H141W24SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H141W24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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1
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5
¥456.1245
2280.6225
10
¥438.2931
4382.931
25
¥424.1568
10603.92
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
17.2 dB
输出功率
36 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935368003128
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N6135AUS
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