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分立半导体
SIHG73N60E-E3参考图片

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SIHG73N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥97.0444
97.0444
10
¥88.2078
882.078
25
¥81.6086
2040.215
50
¥77.1451
3857.255
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
73 A
Rds On-漏源导通电阻
39 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
241 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
520 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
120 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
290 ns
典型接通延迟时间
63 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，SIHG73N60E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSZL52C5V6 RW
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 5.6 Volt 200mW 5%
20,000:¥0.34578
24,000:¥0.32996
48,000:¥0.30736
100,000:¥0.26894
参考库存:37174
CMPSH-3 BK
Central Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode Schottky
3,500:¥1.5594
10,500:¥1.5029
24,500:¥1.4464
45,500:¥1.4238
参考库存:29690
ES1H F2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 500V, SUPER FAST SM RECTIFIER
15,000:¥0.76049
22,500:¥0.68365
45,000:¥0.60681
97,500:¥0.50737
参考库存:37179
MBRH200200(R)
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 200(A)Schottky Diode Module
50:¥350.2322
100:¥345.6218
250:¥326.2649
参考库存:37182
GBU20M
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
桥式整流器
2,500:¥5.0963
5,000:¥4.9155
参考库存:37185
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