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分立半导体
BSC011N03LSIXT参考图片

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BSC011N03LSIXT

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
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库存:31,655(价格仅供参考)
数量单价合计
5,000
¥5.7517
28758.5
10,000
¥5.5257
55257
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
900 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
90 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
6.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
6.4 ns
零件号别名
BSC011N03LSIATMA1 SP000884574
商品其它信息
优势价格,BSC011N03LSIXT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 high voltage diode
1:¥210.6207
5:¥208.3946
10:¥194.247
25:¥185.5686
参考库存:1019
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SOT-23 -0.1A 210 to 480hFE -45V
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:10925
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-23 4.7kO Input Resist
1:¥1.7628
10:¥1.1752
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:4122
分立半导体
分立半导体模块 1200 Volt 80 Amp 1570 Amp IFSM
1:¥287.5398
5:¥279.9236
10:¥269.0982
参考库存:1028
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥53.4038
10:¥48.251
25:¥46.0249
100:¥39.9568
参考库存:1262
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