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分立半导体
SIHG22N60EL-GE3参考图片

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SIHG22N60EL-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
500
¥21.0519
10525.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SIHG22N60EL-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBR75100
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100V - 75A Schottky Rectifier
100:¥150.9115
200:¥138.538
500:¥131.8597
参考库存:24706
CEN1142 BK
Central Semiconductor
分立半导体
整流器 Rectifier Gen Purpose
1,000:¥10.9836
2,500:¥10.2152
5,000:¥9.831
参考库存:24709
PTVA102001EA-V1-R2
Wolfspeed / Cree
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250:¥1,046.8659
参考库存:24712
CMDZ2L7 TR
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分立半导体
稳压二极管 250mW
9,000:¥0.66896
24,000:¥0.61472
45,000:¥0.59212
99,000:¥0.56839
参考库存:59575
FST120150
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 150V 120A Standard
40:¥458.6557
80:¥443.3668
120:¥437.4456
参考库存:24717
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