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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	290 mA
输出功率	2.4 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	5.1 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113821

商品其它信息

优势价格，TGF2941的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CZRU16VB-HF	Comchip Technology	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 ZENER 150mW 16V	1:¥2.6894 10:¥1.7176 100:¥0.77631 1,000:¥0.49155 4,000:¥0.37629	参考库存:37044
1T2G R0G	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 1A,100V,STD.GLASS PASSIVATED RECTIFIER	1:¥2.3843 10:¥2.147 100:¥1.4012 1,000:¥0.46895 5,000:¥0.39211	参考库存:37047
MUR305S R6G	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 3A, 50V SMC Ultar fast GP	1:¥3.6838 10:¥3.0736 100:¥2.3165 500:¥1.7063 1,000:¥1.2769 3,000:¥1.1752	参考库存:37050
MMBD3004SE RF	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	二极管 - 通用，功率，开关 350mW SMD Switching Diode	1:¥2.5312 10:¥2.3052 100:¥1.2882 1,000:¥0.46895 3,000:¥0.41471	参考库存:37053
S8GCHR6	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 8A, 400V, GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER	1:¥3.842 10:¥3.2318 100:¥2.4182 500:¥1.7741 1,000:¥1.3334 3,000:¥1.2317	参考库存:37056