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射频晶体管
NSVF4017SG4T1G参考图片

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NSVF4017SG4T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G
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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.616
36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
¥1.7063
1706.3
3,000
¥1.4577
4373.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
100 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-82FL-4
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
10 GHz
商标
ON Semiconductor
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,NSVF4017SG4T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
1:¥157.9062
25:¥136.5492
100:¥118.1076
250:¥109.8812
参考库存:3768
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
10,000:¥1.04525
参考库存:14195
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8GHZ 230W NI780S-6
50:¥786.2992
100:¥731.2908
参考库存:17238
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥156.9118
5:¥155.2959
10:¥144.7643
25:¥138.2329
参考库存:17241
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥488.7024
10:¥464.2718
25:¥439.8299
50:¥415.3993
100:¥316.5808
参考库存:17244
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