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晶体管
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SPB80P06P G

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数量单价合计
1
¥25.3572
25.3572
10
¥21.5943
215.943
100
¥18.6676
1866.76
250
¥17.7523
4438.075
1,000
¥13.447
13447
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
115 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
340 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SIPMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
SPB80P06
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
SP000096088 SPB80P06PGATMA1 SPB8P6PGXT
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，SPB80P06P G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NX6020CAKSX
Nexperia
晶体管
MOSFET NX6020CAKS/SOT363/SC-88
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
参考库存:17704
BCM847QASZ
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCM847QAS DFN1010B-6
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
参考库存:17707
APT6029SLLG
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥148.4594
5:¥142.6964
10:¥137.3176
25:¥126.1758
参考库存:17710
PUMF11,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:17713
AUIRFS6535TRL
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET Automotive Power MOSFET; 300V 185mOhm
1:¥21.9785
10:¥18.6676
100:¥16.2155
250:¥15.368
800:¥11.6842
2,400:查看
参考库存:4316
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