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晶体管
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BUL216

  • STMicroelectronics
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
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1
¥13.5261
13.5261
10
¥11.4469
114.469
100
¥9.1417
914.17
500
¥7.9891
3994.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
800 V
集电极—基极电压 VCBO
1600 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
4 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BUL216
高度
9.15 mm (Max)
长度
10.4 mm (Max)
封装
Tube
宽度
4.6 mm (Max)
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
4 A
Pd-功率耗散
90 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，BUL216的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM4NB60CI C0
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V N channl Mosfet
4,000:¥2.825
5,000:¥2.6329
10,000:¥2.5877
25,000:¥2.5312
参考库存:28465
STP4NK60ZFP
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET PowerMESH Zener SuperMESH
1:¥12.2153
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥7.0512
参考库存:4135
D3S070N65F-U
D3
晶体管
MOSFET 70 mOhm 650V
1,000:¥16.6788
2,500:¥15.8313
5,000:¥15.2098
参考库存:28470
ZTX857
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELine
4,000:¥4.0906
参考库存:28473
APTGLQ40DDA120CT3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥665.2084
参考库存:28476
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