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晶体管
BC859BW,115参考图片

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BC859BW,115

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
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库存：5,089(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.3786
1.3786
10
¥1.2995
12.995
100
¥0.46104
46.104
1,000
¥0.30736
307.36
3,000
¥0.23843
715.29
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
最大直流电集电极电流
- 200 mA
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
220 at 2 mA, 5 V
高度
1 mm
长度
2.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.35 mm
商标
Nexperia
集电极连续电流
- 100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
220
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BC859BW T/R
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格，BC859BW,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VN10LFTA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 3A
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:19098
2N6034G
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 4A 40V Bipolar Power PNP
1:¥5.6048
10:¥4.633
100:¥2.9945
1,000:¥2.3843
参考库存:14466
DD750S65K3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 750A 6500V
1:¥17,193.1082
5:¥16,918.247
参考库存:3919
IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:36541
TK65G10N1,RQ
Toshiba
晶体管
MOSFET UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK
1:¥21.4361
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.0684
1,000:¥10.0683
参考库存:5039
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