您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
FP35R12KT4_B15参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

FP35R12KT4_B15

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:3,163(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥638.0771
638.0771
5
¥626.3251
3131.6255
10
¥598.1203
5981.203
25
¥578.221
14455.525
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
210 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP35R12KT4B15BOSA1 SP000408732
商品其它信息
优势价格,FP35R12KT4_B15的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 14 Amp
1:¥12.9046
10:¥10.9836
100:¥8.7575
500:¥7.6727
1,000:¥6.3506
参考库存:2099
晶体管
MOSFET BUK9K17-60E/LFPAK56D/REEL 7" Q
1:¥7.91
10:¥6.8026
100:¥5.2206
500:¥4.6217
1,000:¥3.6386
1,500:¥3.6386
参考库存:5772
晶体管
MOSFET 60V POWERBLOCK N CH MOSFET
1:¥50.6353
10:¥45.4938
100:¥37.3465
250:¥35.0413
500:¥31.8095
参考库存:1619
晶体管
MOSFET AUTOMOTIVE
1:¥53.4038
10:¥48.3301
25:¥46.0249
100:¥39.9568
参考库存:1616
晶体管
IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥19.21
10:¥16.2946
100:¥13.0628
500:¥11.3678
参考库存:1970
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们