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晶体管
APT50GS60BRG参考图片

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APT50GS60BRG

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT High Frequency - Single
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库存:2,964(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥65.8564
65.8564
10
¥59.2459
592.459
25
¥54.014
1350.35
50
¥50.3302
2516.51
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.8 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
93 A
Pd-功率耗散
415 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
93 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
93 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt HS
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT50GS60BRG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Small Signal Single N-CH 20V .3A .15W
1:¥3.616
10:¥2.3391
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:5010
晶体管
MOSFET P-channel 30 V, 0.01 Ohm typ., 52 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
2,500:¥4.5991
10,000:查看
参考库存:6767
晶体管
MOSFET 30V P channel Mosfet
1:¥3.5369
10:¥2.7685
100:¥1.8871
500:¥1.2995
3,000:¥0.86784
9,000:查看
参考库存:16114
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 300V, 300mA
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
20,000:¥0.24634
40,000:查看
参考库存:20497
晶体管
IGBT 模块 N-Ch 600 Volt 150Amp
1:¥214.7678
5:¥212.5417
10:¥198.089
25:¥189.2524
参考库存:4370
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