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晶体管
DTC014EUBTL参考图片

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DTC014EUBTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
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库存:7,891(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.0001
2.0001
10
¥1.3108
13.108
100
¥0.5537
55.37
1,000
¥0.37629
376.29
3,000
¥0.29154
874.62
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
10 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UMT-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
35
最大工作频率
250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
200 mW
最大工作温度
+ 150 C
系列
DTC014EUB
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
输出电压
50 mV
商标
ROHM Semiconductor
通道模式
Enhancement
最大直流电集电极电流
100 mA
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
DTC014EUB
商品其它信息
优势价格,DTC014EUBTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥4.9155
10:¥4.0906
100:¥2.6329
1,000:¥2.1131
2,000:¥1.7854
参考库存:41781
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥744.8847
2:¥721.7536
5:¥721.5276
10:¥698.3174
参考库存:2581
晶体管
IGBT 模块
1:¥3,070.3004
5:¥2,885.2629
参考库存:2614
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥3.7629
10:¥3.7403
25:¥3.164
100:¥2.8476
2,000:¥1.9436
4,000:查看
参考库存:3613
晶体管
MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
1:¥67.235
100:¥64.6247
500:¥61.472
参考库存:3422
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