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晶体管
IRL3705ZSTRLPBF参考图片

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IRL3705ZSTRLPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
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库存:3,199(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.673
13.673
10
¥11.6051
116.051
100
¥9.2999
929.99
500
¥8.1473
4073.65
800
¥6.7574
5405.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
86 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
150 S
下降时间
83 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
240 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001552564
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRL3705ZSTRLPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
1:¥14.0572
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
参考库存:6113
晶体管
JFET 30V 10mA
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:32781
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
10:¥358.9219
参考库存:4247
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥4.9946
10:¥3.8759
100:¥3.4013
500:¥3.0397
8,000:¥1.8871
参考库存:12199
晶体管
MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
1:¥15.8313
10:¥13.1419
800:¥13.1419
参考库存:5247
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