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晶体管
KSD526YTU参考图片

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KSD526YTU

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库存:2,365(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.537
5.537
10
¥4.5426
45.426
100
¥2.938
293.8
1,000
¥2.3391
2339.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.45 V
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
8 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSD526
直流电流增益 hFE 最大值
240
高度
9.4 mm
长度
10.1 mm
封装
Tube
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
30 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
KSD526YTU_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,KSD526YTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -60V, -12A, Dual P- Channel Power MOSFET
1:¥6.9947
10:¥6.0681
100:¥4.7008
500:¥3.4804
2,500:¥2.4521
5,000:查看
参考库存:42363
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
10,000:¥0.18419
50,000:¥0.18419
参考库存:42366
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 120V 0.7A
1:¥5.0737
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
2,000:¥1.8193
参考库存:42369
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:42372
晶体管
MOSFET 45V, 4V Driving Volt N Channel, Single
1:¥12.9046
10:¥10.9158
100:¥8.7575
500:¥7.6501
2,500:¥5.8986
5,000:查看
参考库存:42375
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