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晶体管
APT20M38BVRG参考图片

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APT20M38BVRG

  • Microsemi
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET - MOS5
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库存:1,841(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥106.3443
106.3443
10
¥96.6602
966.602
25
¥89.3604
2234.01
50
¥84.524
4226.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
67 A
Rds On-漏源导通电阻
38 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
225 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
370 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Microchip / Microsemi
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,APT20M38BVRG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥8.6106
10:¥7.345
100:¥5.6387
500:¥4.9833
5,000:¥3.4917
10,000:查看
参考库存:11126
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR DUAL
1:¥3.6838
10:¥2.5877
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:34295
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
2,000:¥1.1752
参考库存:90512
晶体管
MOSFET SuperFET2 800V
1:¥62.8506
10:¥56.8616
25:¥54.1722
100:¥47.0306
参考库存:2188
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥32.2728
10:¥25.9674
100:¥23.6622
250:¥21.357
参考库存:2421
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