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晶体管
BC817-16W-7参考图片

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BC817-16W-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANS
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1
¥2.147
2.147
10
¥1.4577
14.577
100
¥0.60681
60.681
1,000
¥0.41471
414.71
3,000
¥0.32318
969.54
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.7 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC817
高度
1 mm
长度
2.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
610 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF8915TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 8.9A
1:¥5.9212
10:¥4.9155
100:¥3.1753
1,000:¥2.5425
4,000:¥2.5425
参考库存:6971
IRF2204PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC
1:¥16.1364
10:¥13.673
100:¥10.9158
500:¥9.605
1,000:¥7.91
参考库存:6006
VN3205N3-G-P002
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥10.3734
10:¥10.2152
25:¥8.6784
100:¥7.91
2,000:¥5.4014
4,000:查看
参考库存:4654
KSC5338DTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Triple Diffused Planar Silicon
1:¥7.2998
10:¥6.2037
100:¥4.7686
500:¥4.2149
参考库存:4654
PDTC114EMB,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC114EMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:12912
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