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晶体管
CSD13302WT参考图片

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CSD13302WT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 12V N ch MOSFET
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库存:1,653(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.6103
26.103
100
¥1.5933
159.33
250
¥1.5933
398.325
1,000
¥1.2317
1231.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSBGA-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
17.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
7.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.62 mm
长度
1 mm
系列
CSD13302W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
200 mg
商品其它信息
优势价格,CSD13302WT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V 0.7A
1:¥4.7686
10:¥3.9437
100:¥2.4069
1,000:¥1.8645
2,000:¥1.582
参考库存:41860
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥50.4884
10:¥40.567
25:¥39.8777
100:¥36.9623
参考库存:41863
晶体管
MOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET
1:¥3.2318
10:¥2.6668
100:¥1.6272
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.07576
参考库存:41866
晶体管
MOSFET 600V N-Ch MOSFET QFET
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.8817
1,000:¥5.4353
2,500:¥5.4353
参考库存:41869
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥15.9104
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.4468
参考库存:41872
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