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晶体管
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FSB560

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Low Saturation
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数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥2.0566
20.566
100
¥1.12209
112.209
1,000
¥0.83733
837.33
3,000
¥0.72207
2166.21
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SuperSOT-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
350 mV
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
75 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FSB560
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
0.94 mm
长度
2.92 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
2 A
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
FSB560_NL
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格，FSB560的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MHT2000GNR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 2450 MHz 25 W CW 28 V
500:¥312.8179
参考库存:30541
DMPH6050SFGQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
3,000:¥2.9154
参考库存:30544
AGR26180EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.535-2.655GHz27Watt Gain 12.5dB
10:¥968.184
30:¥857.5344
50:¥774.5472
100:¥746.8848
参考库存:30547
DMC2053UVT-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥0.77631
参考库存:30550
DMT10H072LFDF-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥4.9155
10:¥4.1019
100:¥2.6442
1,000:¥2.1244
3,000:¥2.1244
参考库存:30553
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