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晶体管
2SC5706-P-E参考图片

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2SC5706-P-E

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 5A 50V
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数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.4014
54.014
100
¥3.4917
349.17
1,000
¥2.7911
2791.1
2,500
¥2.4973
6243.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
240 mV
增益带宽产品fT
400 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SC5706
直流电流增益 hFE 最大值
560
封装
Bulk
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
800 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,2SC5706-P-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET DOUBLE
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:14111
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 25A I2PAK-3 OptiMOS 3
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥13.9103
500:¥12.1362
参考库存:4420
晶体管
MOSFET Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
1:¥86.219
10:¥80.6029
25:¥75.6083
50:¥65.54
参考库存:3941
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32V 2A SO-89
1:¥4.1471
10:¥3.4239
100:¥2.0792
1,000:¥1.6159
2,000:¥1.3786
参考库存:4233
晶体管
MOSFET 100V 190A 4 mOhm Automotive MOSFET
1:¥38.5782
10:¥32.7361
100:¥28.3517
250:¥26.894
参考库存:4237
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