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晶体管
RS1E180BNTB参考图片

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RS1E180BNTB

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
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库存:4,299(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥3.4917
34.917
100
¥2.1357
213.57
1,000
¥1.6498
1649.8
2,500
¥1.4012
3503
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
46 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
RS1E180BN
商品其它信息
优势价格,RS1E180BNTB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW
1:¥1.695
10:¥1.1752
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:29238
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 13 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.1418
1,000:¥9.2208
参考库存:4623
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
1:¥12.4526
10:¥10.6785
100:¥8.1473
500:¥7.2433
1,000:¥5.7291
3,000:¥5.7291
参考库存:45518
晶体管
达林顿晶体管 Darlington Transistr Array
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.91
500:¥6.9043
参考库存:13751
晶体管
MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.6048
100:¥4.3166
500:¥3.8081
2,500:¥2.6781
10,000:查看
参考库存:32336
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