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晶体管
2SB1710TL参考图片

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2SB1710TL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 30V 1A
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.11418
3342.54
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSMT-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 30 V
集电极—基极电压 VCBO
- 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 150 mV
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
320 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SB1710
直流电流增益 hFE 最大值
680
高度
0.85 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
- 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
270
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
2SB1710
商品其它信息
优势价格,2SB1710TL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9721
500:¥6.1585
3,000:¥4.3166
9,000:查看
参考库存:2600
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 25W 50V GaN
1:¥615.4884
25:¥543.869
100:¥480.5551
200:¥451.7401
参考库存:2690
晶体管
MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.40V
1:¥31.1202
10:¥27.8206
25:¥25.0521
50:¥24.3628
参考库存:2602
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥272.1718
5:¥258.5666
10:¥251.8092
25:¥231.3675
参考库存:2672
晶体管
达林顿晶体管 PNP Darlington Transistor
1:¥1,919.5423
2:¥1,873.3592
5:¥1,846.0019
10:¥1,819.7972
参考库存:2603
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