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晶体管
NJD35N04G参考图片

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NJD35N04G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 POWER DARL TRANSIST
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库存：6,621(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥5.9212
59.212
100
¥4.5539
455.39
500
¥4.0228
2011.4
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
350 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
最大直流电集电极电流
4 A
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3 (DPAK)
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NJD35N04
封装
Tube
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
2000, 300
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
75
子类别
Transistors
单位重量
426 mg
商品其它信息
优势价格，NJD35N04G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMS86580-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V NChnl Power Trench MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.6444
100:¥5.0963
500:¥4.4974
3,000:¥3.1527
9,000:查看
参考库存:6741
IFCM20T65GDXKMA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IFPS MODULES
1:¥106.8867
10:¥98.2761
25:¥94.2081
100:¥82.9872
参考库存:4023
AIKW50N60CTXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥60.3985
10:¥54.5564
25:¥52.0252
100:¥45.1774
参考库存:4235
FS50R07W1E3B11ABOMA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥336.7852
5:¥329.3385
10:¥314.2756
25:¥301.0546
参考库存:3776
DTA143ZEFRATL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-416 -50V VCC -0.1A IC
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:12759
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