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KSB772YS

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¥1.02943
2573.575
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 30 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.3 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
80 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSB772
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Bulk
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
Pd-功率耗散
10 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
KSB772YS_NL
单位重量
761 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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