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晶体管
TK10A60W,S4VX参考图片

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TK10A60W,S4VX

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC
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数量单价合计
1
¥21.5152
21.5152
10
¥17.289
172.89
100
¥15.8313
1583.13
250
¥14.2945
3573.625
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
9.7 A
Rds On-漏源导通电阻
327 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
20 nC
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK10A60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
45 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK10A60W,S4VX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FJX1182YTF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥2.3052
10:¥1.5368
100:¥0.64523
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.34578
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BCX5216TA
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1,000:¥1.09836
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250:¥18.4416
3,000:¥13.221
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DDTC114GE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 10K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:22468
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