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晶体管
CDM22011-600LRFP SL参考图片

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CDM22011-600LRFP SL

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 11A PFC FET 600V 4.45nC 0.3Ohm
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1
¥16.3624
16.3624
10
¥14.5205
145.205
100
¥11.6051
1160.51
500
¥10.2152
5107.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
23.05 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UltraMOS
封装
Tube
系列
CDM
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Central Semiconductor
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
700
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
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