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晶体管
NJV4030PT1G参考图片

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NJV4030PT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SOT223 BIP PWR TRAN
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7346
27.346
100
¥1.6724
167.24
1,000
¥1.2882
1288.2
2,000
¥1.09836
2196.72
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
5 A
增益带宽产品fT
160 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NJT4030P
直流电流增益 hFE 最大值
400 at 1 A, 1 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 1 A, 1 V
Pd-功率耗散
2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,NJV4030PT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.3391
1,000:¥1.808
参考库存:4872
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GP
1:¥6.4523
10:¥5.2658
100:¥4.3844
500:¥3.3787
1,000:¥3.0623
参考库存:4898
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V
1:¥4.0002
10:¥2.6555
100:¥1.4803
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.92999
参考库存:5273
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
3,000:¥2.4634
参考库存:5190
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K
1:¥3.6838
10:¥2.8589
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
2,500:¥0.99892
10,000:¥0.9379
参考库存:13505
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