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晶体管
TT8M3TR参考图片

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TT8M3TR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 1.5V Drive Nch+Pch MOSFET
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库存:6,654(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.5877
25.877
100
¥1.4012
140.12
1,000
¥1.05316
1053.16
3,000
¥0.90626
2718.78
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSST-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.5 A, 2.4 A
Rds On-漏源导通电阻
140 mOhms, 360 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3.6 nC, 6.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
3 mm
产品
MOSFET
类型
Power MOSFET
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
2.7 S, 2.4 S
下降时间
17 ns, 45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns, 25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns, 55 ns
典型接通延迟时间
9 ns, 9 ns
零件号别名
TT8M3
商品其它信息
优势价格,TT8M3TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A
1:¥10.7576
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
2,000:¥4.0906
10,000:查看
参考库存:5515
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
1:¥4.1471
10:¥2.3956
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.72207
参考库存:7277
晶体管
MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.7631
500:¥6.8365
2,500:¥5.2658
5,000:查看
参考库存:40240
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -30V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE
1:¥6.3054
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.6781
参考库存:6722
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A
1:¥1,217.4507
5:¥1,188.1724
10:¥1,158.6681
25:¥1,142.3848
参考库存:4393
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