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晶体管
FGB20N60SF参考图片

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FGB20N60SF

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库存:2,568(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.9784
19.9784
10
¥16.9839
169.839
100
¥13.5261
1352.61
500
¥11.8311
5915.55
800
¥9.831
7864.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
208 W
系列
FGB20N60SF
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FGB20N60SF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NCH 1.2V Power MOSFE
1:¥3.5369
10:¥2.6894
100:¥1.4577
1,000:¥1.09836
3,000:¥0.94468
9,000:¥0.88366
参考库存:11558
晶体管
MOSFET 40V 16A 62.5W AEC-Q101 Qualified
1:¥6.3732
10:¥5.2997
100:¥4.1471
500:¥3.5369
3,000:¥3.5369
参考库存:101637
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed in a TO247-4 package
1:¥36.6572
10:¥31.1202
100:¥27.0522
250:¥25.6623
参考库存:4994
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥2.8476
10:¥1.9775
100:¥0.82264
1,000:¥0.56048
10,000:¥0.37629
20,000:查看
参考库存:24517
晶体管
IGBT 模块 HYBRID PACK 2
1:¥4,944.88
5:¥4,865.8139
参考库存:1008
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