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晶体管
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VRF151

  • Microsemi
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥423.0833
423.0833
2
¥411.5573
823.1146
5
¥400.1782
2000.891
10
¥388.7313
3887.313
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
180 V
增益
22 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Box
工作频率
175 MHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
5 mS
Pd-功率耗散
300 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.6 V
商品其它信息
优势价格，VRF151的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N2906A/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥118.5596
250:¥108.1184
500:¥101.1237
参考库存:37601
JANS2N3637UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥816.425
5:¥790.9096
10:¥765.4055
25:¥729.6749
参考库存:37604
JANTXV2N3019S/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥182.495
250:¥167.4321
500:¥159.3639
参考库存:37607
RN2303(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA -50volts 3Pin 22K x 22Kohms
暂无价格
参考库存:37610
2N2432AUB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥129.9387
250:¥119.2602
500:¥113.4972
参考库存:37613
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