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晶体管
TK39N60X,S1F参考图片

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TK39N60X,S1F

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
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库存:2,130(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥50.4093
50.4093
10
¥45.4147
454.147
25
¥41.3354
1033.385
100
¥37.3465
3734.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
38.8 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
270 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
高度
20.95 mm
长度
15.94 mm
系列
TK39N60X
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.02 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
155 ns
典型接通延迟时间
60 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,TK39N60X,S1F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,500:¥2.2939
参考库存:4653
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:11382
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T2
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5201
500:¥5.7743
参考库存:4281
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
8,000:¥0.32996
24,000:查看
参考库存:9871
晶体管
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:3620
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