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晶体管
TK2Q60D(Q)参考图片

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TK2Q60D(Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 4.3 Ohm
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数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥5.6952
56.952
100
¥3.6725
367.25
200
¥3.6725
734.5
1,000
¥2.938
2938
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PW-Mold2-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
4.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
7 mm
长度
6.5 mm
系列
TK2Q60D
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.3 mm
商标
Toshiba
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
200
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
35 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，TK2Q60D(Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMMBTA92LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS HV XSTR SPCL TR
1:¥2.9945
10:¥1.9323
100:¥0.82942
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:15226
BC856B-13-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Small SIG -80V -65V VCEO -5.0 VEBO
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:14614
SMUN2113T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC59 BR XSTR PNP SPCL
1:¥2.9154
10:¥1.9549
100:¥0.82264
1,000:¥0.56048
3,000:¥0.43844
参考库存:5941
BC856BW,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.16159
参考库存:153170
FMMTA06TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥3.3787
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:4455
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