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晶体管
STP18NM60ND参考图片

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STP18NM60ND

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDMesh II
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库存:5,114(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.1939
36.1939
10
¥30.736
307.36
100
¥26.668
2666.8
250
¥25.2781
6319.525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
290 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
封装
Tube
系列
STP18NM60ND
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP18NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -30V -3.6A 90mOhm 20nC Micro 8
1:¥4.6895
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
4,000:¥1.7176
参考库存:14258
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 10mA 300mW 1.7mW
1:¥66.6926
10:¥54.7146
100:¥45.4147
500:¥41.3354
参考库存:2603
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 50A 600V
1:¥278.7032
5:¥275.7765
10:¥257.0298
25:¥245.5038
参考库存:2521
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V Dual Switching NPN & PNP
1:¥3.2318
10:¥2.0905
100:¥0.89948
1,000:¥0.69156
4,000:¥0.52206
参考库存:22268
晶体管
MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET
1:¥2.9945
10:¥2.5086
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:9876
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