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晶体管
FJAF4210OTU参考图片

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FJAF4210OTU

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
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数量单价合计
1
¥18.1365
18.1365
10
¥15.368
153.68
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.8367
5418.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PF-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 140 V
集电极—基极电压 VCBO
- 200 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
10 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FJAF4210
直流电流增益 hFE 最大值
180
高度
16.7 mm (Max)
长度
15.7 mm (Max)
封装
Tube
宽度
5.7 mm (Max)
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
Pd-功率耗散
80 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
360
子类别
Transistors
零件号别名
FJAF4210OTU_NL
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,FJAF4210OTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 35nC
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2264
4,800:¥6.1585
9,600:查看
参考库存:9691
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IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.2037
500:¥5.4805
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晶体管
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1:¥9.9892
10:¥9.831
25:¥8.2942
100:¥7.5145
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晶体管
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1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:18321
晶体管
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1:¥6.9947
10:¥5.8421
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥2.7233
参考库存:11237
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