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晶体管
2N4118A参考图片

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2N4118A

  • InterFET
  • 新批次
  • JFET JFET N-Channel -40V 50mA 300mW 2mW
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库存:4,734(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥72.998
72.998
10
¥59.777
597.77
100
¥49.6409
4964.09
500
¥45.2565
22628.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
InterFET
产品种类
JFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-72-4
晶体管极性
N-Channel
配置
Single
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 40 V
Vgs=0时的漏-源电流
240 uA
Id-连续漏极电流
1 nA
Pd-功率耗散
300 mW
系列
2N411
封装
Bulk
类型
JFET
商标
InterFET
正向跨导 - 最小值
80 uS
闸/源截止电压
- 3 V
工厂包装数量
1
商品其它信息
优势价格,2N4118A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin
1:¥2.6894
10:¥1.8758
100:¥0.78422
1,000:¥0.53788
10,000:¥0.3616
20,000:查看
参考库存:11207
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥2.4634
10:¥1.695
100:¥0.69156
1,000:¥0.53788
8,000:¥0.3842
24,000:查看
参考库存:21822
晶体管
MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II
1:¥53.7089
10:¥48.5674
25:¥46.2622
100:¥40.1828
1,000:¥30.51
参考库存:3172
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥8.2942
10:¥7.1077
100:¥5.4579
500:¥4.8251
1,000:¥3.8081
参考库存:2714
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S262W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥625.6358
5:¥614.1098
10:¥586.5152
25:¥566.921
参考库存:21829
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