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晶体管
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HGTG30N60B3

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数量单价合计
1
¥37.8776
37.8776
10
¥32.1937
321.937
100
¥27.8884
2788.84
250
¥26.5098
6627.45
500
¥23.7413
11870.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.45 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
208 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG30N60B3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
60 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG30N60B3_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,HGTG30N60B3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR PNP 30V
1:¥2.7685
10:¥1.7402
100:¥0.75258
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.43844
参考库存:16260
晶体管
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
1:¥6.8365
10:¥5.8986
100:¥4.5313
500:¥4.0002
1,000:¥3.1527
2,000:¥3.1527
参考库存:7280
晶体管
MOSFET P-CH ENHANCEMENT 6Ohm -50V -200mA
1:¥3.616
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.77631
参考库存:7846
晶体管
MOSFET P-Channel -20V FET 8Vgss 0.35W
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.39211
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:14095
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL MATCHED PNP GP XTT
1:¥3.6838
10:¥2.599
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
4,000:¥0.78422
参考库存:10737
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