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晶体管

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CE3512K2

  • CEL
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
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数量单价合计
1
¥11.6051
11.6051
10
¥8.8366
88.366
100
¥6.4523
645.23
500
¥5.4918
2745.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
CEL
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
Vds-漏源极击穿电压
4 V
Id-连续漏极电流
10 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
125 mW
安装风格
SMD/SMT
封装
Bulk
商标
CEL
正向跨导 - 最小值
54
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
单位重量
16.473 mg
商品其它信息
优势价格,CE3512K2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 800A
1:¥7,250.08
5:¥7,134.2098
参考库存:1832
晶体管
MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch
1:¥8.8366
10:¥7.5032
100:¥5.763
500:¥5.0963
2,500:¥3.5708
10,000:查看
参考库存:4572
晶体管
MOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥5.9212
10:¥4.9494
100:¥3.1979
1,000:¥2.5538
2,500:¥2.2826
参考库存:6773
晶体管
MOSFET PMOS SINGLE P-CHANNL 30V 7.1A
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:7903
晶体管
MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.3504
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.5933
参考库存:13518
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