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晶体管
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VN0808L-G

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数量单价合计
1
¥8.6784
8.6784
10
¥8.5315
85.315
25
¥7.1981
179.9525
100
¥6.5653
656.53
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
170 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,VN0808L-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor
1:¥1.8419
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100:¥0.53788
1,000:¥0.36838
3,000:¥0.28476
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1:¥5.989
10:¥4.9381
100:¥3.1866
1,000:¥2.5538
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1:¥3.2318
10:¥2.1018
100:¥0.89948
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.52997
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1:¥0.84524
10:¥0.7684
100:¥0.26894
1,000:¥0.18419
10,000:¥0.12317
20,000:查看
参考库存:74541
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 1A PNP/PNP low VCEsat (BISS) trans
1:¥3.6838
10:¥3.0397
100:¥1.8532
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.2204
参考库存:5749
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