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晶体管
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FDB070AN06A0

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数量单价合计
1
¥16.0573
16.0573
10
¥13.673
136.73
100
¥10.9836
1098.36
500
¥9.605
4802.5
800
¥7.91
6328
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
175 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDB070AN06A0
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
159 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
FDB070AN06A0_NL
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FDB070AN06A0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:21959
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
3,000:¥1.5029
9,000:¥1.4012
24,000:¥1.3334
45,000:¥1.2995
参考库存:21962
晶体管
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10,000:¥1.3334
参考库存:21965
晶体管
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1:¥9.4468
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
2,500:¥3.5821
10,000:查看
参考库存:21968
晶体管
达林顿晶体管 NPN/ 110V/ 1.5A
1:¥2.9945
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
4,000:¥1.02152
参考库存:5353
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