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晶体管
STD2HNK60Z-1参考图片

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STD2HNK60Z-1

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A
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数量单价合计
1
¥9.0626
9.0626
10
¥7.684
76.84
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.2206
2610.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.75 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
高度
6.2 mm
长度
6.6 mm
系列
STD2HNK60Z-1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1.5 S
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STD2HNK60Z-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP840ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:7825
PBSS5350T,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 2A LO VCESAT
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.92208
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.60681
参考库存:12134
2N4416A
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 10mA 300mW 2mW
1:¥75.3823
10:¥61.7771
100:¥51.3246
500:¥46.7933
参考库存:4145
FP10R06W1E3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 16A
1:¥225.9887
5:¥223.6835
10:¥208.4624
25:¥199.0947
参考库存:3293
2SC5488A-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MEDIUM OUTPUT AMPLIFIER
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:11289
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