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晶体管
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FDB13AN06A0

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数量单价合计
1
¥14.5205
14.5205
10
¥12.3735
123.735
100
¥9.9101
991.01
500
¥8.6784
4339.2
800
¥7.1416
5713.28
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
62 A
Rds On-漏源导通电阻
11.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
115 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDB13AN06A0
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
96 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
FDB13AN06A0_NL
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格，FDB13AN06A0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTA115TUA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 100K
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:30947
MRF8S9232NR3
NXP / Freescale
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暂无价格
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100:¥6.78
500:¥5.989
参考库存:30959
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