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晶体管
IRFS3206TRRPBF参考图片

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IRFS3206TRRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
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库存:5,731(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.5943
21.5943
10
¥18.3625
183.625
100
¥15.9104
1591.04
250
¥15.0629
3765.725
500
¥13.5261
6763.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
210 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
120 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
210 S
下降时间
83 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
82 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
SP001573508
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRFS3206TRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 80A N-Chnl Power Trench MOSFET
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
800:¥6.4975
参考库存:4494
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥43.3355
10:¥36.8041
100:¥31.8886
250:¥30.2727
3,000:¥21.7412
参考库存:6682
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-723 -50V VCC -0.1A IC
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
2,500:¥0.23052
8,000:¥0.20001
参考库存:12038
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥7.1416
10:¥6.1585
100:¥4.7347
500:¥4.181
1,000:¥3.2996
参考库存:5069
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥13.5261
10:¥11.4469
100:¥9.1417
500:¥8.0682
1,000:¥6.6331
参考库存:7015
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