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晶体管
CSD87588N参考图片

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CSD87588N

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET Sync Buck NexFET Power Block II
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库存:8,168(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.2943
10.2943
10
¥8.7575
87.575
100
¥6.7348
673.48
500
¥5.9438
2971.9
2,500
¥4.1697
10424.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PTAB-5
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
10.4 mOhms, 3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
2.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6 W
配置
Dual
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.48 mm
长度
5 mm
系列
CSD87588N
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
2.5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
93 S
下降时间
6.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
36.7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20.1 ns
典型接通延迟时间
12.1 ns
商品其它信息
优势价格,CSD87588N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PFET SO8 30V 3A 85 MOHM
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.232
1,000:¥5.7065
2,500:¥5.0624
参考库存:5134
晶体管
MOSFET P-Ch -20V -5.7A DSO-8 OptiMOS P
1:¥7.7631
10:¥6.6218
100:¥5.085
500:¥4.4974
1,000:¥3.5482
2,500:¥3.5482
参考库存:6560
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH SPEED SWITCHING
1:¥39.1093
10:¥33.1994
100:¥28.815
250:¥27.2782
500:¥24.5097
参考库存:4495
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 140A
1:¥1,183.1778
5:¥1,154.6792
10:¥1,126.0111
25:¥1,110.2589
参考库存:4078
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
8,000:¥0.29154
24,000:查看
参考库存:19013
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