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晶体管
TN0604N3-G-P013参考图片

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TN0604N3-G-P013

  • Microchip Technology
  • 新批次
  • MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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数量单价合计
1
¥8.3733
8.3733
10
¥8.2264
82.264
25
¥6.9608
174.02
100
¥6.328
632.8
2,000
¥4.3166
8633.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
700 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
740 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Ammo Pack
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,TN0604N3-G-P013的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
1,500:¥4.7234
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24,000:¥0.22261
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10:¥3.4465
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
1,500:¥1.3786
参考库存:6396
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