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晶体管
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2N5416

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Voltage
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数量单价合计
1
¥23.8995
23.8995
10
¥21.357
213.57
100
¥19.436
1943.6
250
¥17.515
4378.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
300 V
集电极—基极电压 VCBO
350 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
2 V
最大直流电集电极电流
1 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N5416
高度
6.6 mm
长度
9.4 mm
封装
Bulk
宽度
9.4 mm
商标
Central Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
零件号别名
2N5416 PBFREE
商品其它信息
优势价格,2N5416的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥120.7179
10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
600:¥83.3714
1,200:查看
参考库存:17018
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SMALL SIGNAL BIAS RE
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:17021
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥72.2296
10:¥65.0089
25:¥59.1668
50:¥55.1666
参考库存:17024
晶体管
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1:¥24.1255
10:¥19.9784
100:¥16.4415
250:¥15.9782
2,500:¥11.4469
5,000:查看
参考库存:17027
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥13.7521
10:¥11.4469
100:¥8.8366
500:¥7.7631
1,000:¥6.4297
3,000:¥6.4297
参考库存:17030
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