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晶体管
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ARF1501

  • Microsemi
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥1,451.9709
1451.9709
2
¥1,417.0878
2834.1756
5
¥1,396.341
6981.705
10
¥1,376.5095
13765.095
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
增益
17 dB
输出功率
750 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Box
工作频率
40 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
5.5 mS
通道模式
Enhancement
下降时间
13 ns
Pd-功率耗散
1.5 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
商品其它信息
优势价格，ARF1501的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPI70N12S311AKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:4271
IPP80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥14.9047
10:¥12.5995
100:¥10.0683
500:¥8.8366
1,000:¥7.3563
参考库存:3804
SD4931
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
1:¥614.72
5:¥603.42
10:¥576.30
25:¥557.09
参考库存:24388
BCX71K
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP/ 45V/ 500mA
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:5343
MRF6S20010NR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W TO270-2
1:¥297.4499
5:¥282.387
10:¥277.5506
25:¥251.5719
500:¥214.6096
参考库存:24393
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