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晶体管
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ARF1501

  • Microsemi
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥1,451.9709
1451.9709
2
¥1,417.0878
2834.1756
5
¥1,396.341
6981.705
10
¥1,376.5095
13765.095
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
增益
17 dB
输出功率
750 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Box
工作频率
40 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
5.5 mS
通道模式
Enhancement
下降时间
13 ns
Pd-功率耗散
1.5 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
商品其它信息
优势价格，ARF1501的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX2N2484
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥166.8219
10:¥151.6799
25:¥140.3121
50:¥132.7072
参考库存:1354
BC 817K-16 E6433
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.13
100:¥0.47686
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:2349
2N4033
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥90.1288
10:¥81.1453
25:¥73.9246
100:¥66.6926
参考库存:1367
BCV 47 E6433
Infineon Technologies
晶体管
达林顿晶体管 NPN Silicn Darlingtn TRANSISTOR
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:25457
FJB3307DTM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 700V/8A Built-in Diode
1:¥7.5258
10:¥6.3958
100:¥4.9155
500:¥4.3392
800:¥3.4239
参考库存:3087
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