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晶体管
D3S099N65B-U参考图片

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D3S099N65B-U

  • D3
  • 新批次
  • MOSFET 99 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220
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库存:3,184(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.5043
29.5043
10
¥23.6622
236.622
100
¥21.5943
2159.43
250
¥19.436
4859
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
D3 Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
35.5 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
62.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
281 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
D3
下降时间
63 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
61 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
81 ns
典型接通延迟时间
41 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,D3S099N65B-U的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified
1:¥12.2944
10:¥10.2152
100:¥7.91
500:¥6.9382
1,000:¥5.7517
3,000:¥5.7517
参考库存:45995
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-23 100kO Input Resist
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:41733
晶体管
MOSFET N-Channel Power Mosfet
1:¥3.2318
10:¥2.6781
100:¥1.6272
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.07576
参考库存:12618
晶体管
MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥13.2888
10:¥11.30
100:¥9.0626
500:¥7.91
3,000:¥6.0907
6,000:查看
参考库存:8205
晶体管
MOSFET N-channel 60 V, 0.019 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 package
1:¥4.9946
10:¥4.1471
100:¥2.5312
1,000:¥2.0001
3,000:¥1.695
参考库存:9565
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