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晶体管
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BLT81,115

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN 6-7.5V 500mA UHF
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数量单价合计
1
¥18.6676
18.6676
10
¥15.9104
159.104
100
¥12.6786
1267.86
500
¥11.1418
5570.9
1,000
¥9.2208
9220.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
9.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
25
高度
1.7 mm
长度
6.7 mm
类型
RF Bipolar Power
宽度
3.7 mm
商标
NXP Semiconductors
最大直流电集电极电流
0.5 A
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
934019790115
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BLT81,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB180N03S4L-01
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
参考库存:2841
SST4401T116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V 0.6A
1:¥3.6838
10:¥2.3391
100:¥1.00683
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.59212
参考库存:7444
APT8015JVR
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥627.2404
5:¥607.5784
10:¥589.1368
25:¥562.627
参考库存:2743
IKP10N60T
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.2094
参考库存:2985
BC860BW,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.3786
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:4173
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