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晶体管
TK10P60W,RVQ参考图片

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TK10P60W,RVQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC
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库存:3,815(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.1312
25.1312
10
¥22.7469
227.469
100
¥18.2834
1828.34
500
¥14.2154
7107.7
1,000
¥11.752
11752
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
9.7 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
80 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK10P60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
45 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,TK10P60W,RVQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:4037
晶体管
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1:¥3.2996
10:¥2.1357
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.53788
参考库存:6996
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥7.2207
10:¥6.1133
100:¥4.6895
500:¥4.1471
1,000:¥3.277
2,000:¥3.277
参考库存:2616
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LESHAN DUAL NPN
1:¥3.2996
10:¥2.1018
100:¥0.90626
1,000:¥0.69947
8,000:¥0.46895
24,000:查看
参考库存:13228
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 80V
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,000:¥1.00683
参考库存:115954
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