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晶体管
2SAR340PT100Q参考图片

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2SAR340PT100Q

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -400V Vceo -100mA Ic MPT3
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数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1245
41.245
100
¥2.5086
250.86
1,000
¥1.9436
1943.6
2,000
¥1.6611
3322.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-62-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 400 V
集电极—基极电压 VCBO
- 400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 7 V
集电极—射极饱和电压
- 150 mV
最大直流电集电极电流
- 100 mA
增益带宽产品fT
-
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SxR
直流电流增益 hFE 最大值
270 at - 10 mA, - 10 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
- 100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
82 at - 10 mA, - 10 V
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXFC192207FH-V3-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥823.8039
参考库存:32001
PTVA123501EC-V2-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥3,941.1236
参考库存:32004
STI13NM60N
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
1:¥13.6052
10:¥11.6051
100:¥9.2208
500:¥8.0682
参考库存:6680
SQJ840EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 30A 46W AEC-Q101 Qualified
1:¥12.5995
10:¥10.3734
100:¥7.91
500:¥6.8591
1,000:¥5.4127
3,000:¥5.1641
参考库存:8682
PTVA101K02EV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥4,926.3706
参考库存:32011
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